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IRFL9014TRPBF  与  BSP315P H6327  区别

型号 IRFL9014TRPBF BSP315P H6327
唯样编号 A3-IRFL9014TRPBF A-BSP315P H6327
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 500mΩ 800mΩ@-1.17A,-10V
上升时间 - 9ns
Qg-栅极电荷 - 5.2nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 700mS
封装/外壳 SOT-223-3 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 1.8A -1.17A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 19ns
高度 - 1.6mm
漏源极电压Vds 60V -60V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),3.1W(Tc) 1.8W
典型关闭延迟时间 - 32ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 IRF BSP315
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 24ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFL9014TRPBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

SOT-223-3

暂无价格 0 当前型号
BSP315PH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSP315P H6327_TO-261-4,TO-261AA

暂无价格 0 对比
DMP6250SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

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BSP315P H6327 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSP315PH6327XTSA1_6.5mm SOT-223

暂无价格 0 对比

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